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[长江存储]长江存储突破128层QLC闪存:业界首次、1.33Tb容量创纪录

『湖北龙网摘要_[长江存储]长江存储突破128层QLC闪存:业界首次、1.33Tb容量创纪录』长江存储市场与发卖高等副总裁龚翊(Grace)表示:作为闪存行业的新人,长江存储用短短3年时光实现了大年夜32层到64层再到128层的跨越。这既是数千长存人汗水的凝集,也是全球家当链高低游通力协作的结不雅。跟着Xtacking?2.0时代的到来,长江存储有决...


2020年4月13日,长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证 。

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长江存储X2-6070 128L QLC 1.33Tb 3D NAND
据介绍,长江存储X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量 。
此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),单颗容量512Gb(64GB),以满足不同应用场景的需求 。
【[长江存储]长江存储突破128层QLC闪存:业界首次、1.33Tb容量创纪录】长江存储市场与销售高级副总裁龚翊(Grace)表示:“作为闪存行业的新人,长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越 。这既是数千长存人汗水的凝聚,也是全球产业链上下游通力协作的成果 。随着Xtacking? 2.0时代的到来,长江存储有决心,有实力,有能力开创一个崭新的商业生态,让我们的合作伙伴可以充分发挥他们自身优势,达到互利共赢 。”
Xtacking 2.0加持,性能再度提升
作为存储行业的新入局者,早在2018年,长江存储就推出了自研的Xtacking技术,不仅提高了I/O接口速度,而且还保证了3D NAND多层堆叠可达到更高容量以及减少上市周期 。
据介绍,Xtacking是可以在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路 。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工 。当两片晶圆各自完工后,Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses,垂直互联通道)将二者键合接通电路,而且只增加了有限的成本 。

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在I/O速度方面,目前NAND闪存主要有两种I/O接口标准,分别是Intel/索尼/SK海力士/群联/西数/美光主推的ONFi,目前ONFi 4.1标准的I/O接口速度最大为1.2Gbps 。第二种标准是三星/东芝主推的ToggleDDR,I/O速度最高1.4Gbps 。
不过,大多数NAND厂商只能提供1.0 Gbps或更低的I/O速度 。而长江存储的Xtacking技术可以将I/O接口的速度大幅提升到3Gbps,实现与DRAM DDR4的I/O速度相当 。
另外,Xtacking技术还可使得产品开发时间缩短三个月,生产周期可缩短20%,从而大幅缩短3D NAND产品的从开发到上市周期 。
得益于Xtacking架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化,长江存储64层TLC产品在存储密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表现,去年上市之后广受好评 。
而在长江存储此次发布的128层系列产品中,已全面升级到Xtacking 2.0,进一步提升NAND吞吐速率、提升系统级存储的综合性能,进一步释放3D NAND闪存潜能 。
首先,在I/O读写性能方面,此次发布的X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps(Gigabits/s 千兆位/秒)的数据传输速率,为当前业界最高 。
其次,在单die容量方面,3D QLC单颗容量高达1.33Tb,是上一代64层的5.33倍 。
另外,由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺,CMOS电路可选用更先进的制程,同时在芯片面积没有增加的前提下Xtacking 2.0还为3D NAND带来更佳的扩展性 。
长江存储表示,通过对技术创新的持续投入,已成功研发128层两款产品,并确立了在存储行业的技术创新领导力 。凭借1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量,长江存储通过X2-6070再次向业界证明了Xtacking架构的前瞻性和成熟度,为今后3D NAND行业发展探索出一条切实可行的路径 。未来,长江存储将与合作伙伴携手,构建定制化NAND商业生态,共同推动产业繁荣发展 。

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